我使用带有两个L1缓存的Cortex A9 CPU：一个用于数据，另一个用于指令 . 缓存策略可以是"write-back"或"write-through" . Cortex-A9 Technical Reference Manual part "7.1. About the L1 memory system"表示数据L1缓存有：
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一个32字节的逐出缓冲区
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一个4项，64位合并存储缓冲区
我不明白这两个缓冲区之间的区别 . 在我看来 ：
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"eviction buffer"用于在将被驱逐的行写入RAM之前保存它们
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"merging store buffer"用于在将数据写入RAM之前保存数据
我猜“驱逐缓冲区”仅用于回写策略，而“合并存储缓冲区”仅用于直写策略，但我不确定该假设 .
谢谢，对不起我的基本英语 .
2 回答
回写或直写的高速缓存策略仅适用于可高速缓存的访问 . 对于device or strongly ordered，必须在不进入缓存的情况下写入数据 . 对于设备访问，合并存储缓冲区可用于在对设备的写入完成时临时保存数据 . CPU可以去做其他事情 .
根据Wikipedia's write buffer，直写高速缓存不需要驱逐缓冲区 . 合并存储缓冲区实际上不是缓存功能，可以看作是完全不同的实体 . 但它与内存访问优化（如缓存）有关，并且位于同一功能块中 .
合并存储缓冲区位于CPU和缓存之间;它的目标是合并相邻的写入 . 例如，如果您执行一系列相邻的8位写入操作，那么这些写入将首先在合并缓冲区中累积，然后以更大的块写入缓存并且缓存事务更少 .
驱逐缓冲区位于缓存和内存之间（或者可能是下一个缓存级别）;它的目标只是成为缓存线被逐出缓存的临时存储，这样缓存就可以重用现在未分配的线，而不必等待确认告知整行已写入内存 .